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广州中鸥电子科技有限公司
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产品分类
光电子/光纤/激光(20)
达林顿光耦四通道高速晶体管光耦达林顿三极管输出型光耦10MBd高CMR四通道光耦5MBd低电流宽电压光耦高增益单通道光耦双向光耦10MBd 逻辑门光耦20MBd 逻辑门光耦多通道双向数字光电耦合器20MBd极高速光耦宽带模拟/视频光耦高线性度模拟光耦通用光敏晶体管光电耦合器模拟隔离放大器光耦高增益四通道光耦微型隔离放大器光耦过零触发光耦晶体管光耦逻辑门电路光耦极低功耗高增益光电耦合器逻辑门电路输出型光耦智能功率模块接口光耦IGBT门驱动光耦交/直流转逻辑接口光耦单通道高速晶体管光耦双通道高速晶体管光耦智能功率模块和门驱动接口光耦高增益双通道光耦高速逻辑门10MBd线路接收器光耦电力线通信接口光耦车用光电耦合器10MBd高CMR单通道光耦密封功率MOSFET光耦集成型门驱动光耦数字光电耦合器高压光耦10MBd高CMR双通道光耦高速光耦线性光耦集成电路，二三极管100KBd 达灵顿晶体管输出光电耦合器5MBd 逻辑门光耦8MBd 逻辑门光耦高速CMOS逻辑门光耦1MBd 晶体管输出光耦
- 光电光耦合器(光耦)(20)
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供应Fairchild场效应管 FGA25N120 FGA25N120ANTD 原装特价热卖
产品详细说明
FGA25N120AN
概述
采用“不扩散核武器条约”的技术，飞兆半导体的IGBT系列
提供低传导损耗和开关损耗。以
系列提供了一个应用程序，如感应解决方案
加热（IH），马达控制，通用逆变器，并
不间断电源（UPS）。
特点
•高速开关
•低饱和电压VCE（SAT）= 2.5 V@ IC= 25A
•高输入阻抗
绝对最大额定值TC = 25°C除非另有说明
注：
（1）重复额定值：脉冲宽度有限的最大。结温
热特性
符号说明FGA25N120AN单位的
VCES集电极 - 发射极电压1200 V
VGES门极 - 发射极电压±20 V
集成电路
集电极电流@ TC = 25°C40 A
集电极电流@ TC = 100°C25 A
ICM（1）脉冲集电极电流75 A
PD的最大功率耗散@ TC= 25°C310 W
最大功率耗散@ TC = 100°C125 W
TJ工作结温-55到+150°C
Tstg存储温度范围-55至+150°C
TL
最大的铅温度。用于焊接
目的，1/8“案件从5秒300°C
符号参数典型。最大。单位
RθJC热阻，结到外壳 - 0.4°C/ W
RθJA热阻，结到环境 - 40°C/ W
