深圳市金铠泽电子科技有限公司 （非本站正式会员）

士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品——S-Rin^TM系列高压VDMOS。这是士兰微电子历经多年的自主研发所推出的第三代高压MOSFET产品。相比较于前两代的产品，S-Rin^TM系列高压VDMOS产品性能更加优越，工作电压可以覆盖400V—900V区间，可以兼容多晶稳压管结构以提高ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，导通电阻低，动态参数优等特点，已被广泛应用于AC-DC功率电源，DC-DC转换器以及PWM马达驱动等领域。

S-Rin^TM产品采用了条形元胞结构，并优化了元胞的工艺及设计尺寸。相对于采用其他结构元胞的器件，在EAS能力方面具有较大的优势；此外，由于采用了尺寸较小的GR环作为其保护环，这样在相同规格的条件下，S-Rin^TM产品就具有相对较小的芯片面积，这一优势能有效降低成本，增加芯片的利用效率。

该系列产品优化了栅氧化层的厚度和工艺质量，提高了栅源击穿电压，从而提高了可靠性指标，并改善了器件的易损性；其突出表现在于对IDSS漏电的控制。与其他公司同类型的产品相比，S-Rin^TM产品在经过HTRB可靠性试验后，IDSS仍然可以维持在几纳安到十几纳安非常小的水平，且相对试验前，基本不会增大，这就在很大程度上保证了器件在长时间工作之后，不会因为漏电增大失效而影响其正常使用。SVD2N60F SVD4N60F SVD5N60F SVD7N60F SVD8N60F SVD10N60F SVD12N60F SVD13N50 SVD2N70F

此外，S-Rin^TM产品通过在工艺上对N-JFET的调整，减小JFET效应，使得器件的导通电阻减小，从而降低了器件工作时的温升，提高了AC-DC系统的转换效率。对多晶栅进行了重掺杂处理，以提高器件的响应速度，从而使该系列产品在动态参数方面表现出了一定的优势。

士兰微电子自2001年在杭州下沙经济技术开发区投资设立芯片生产线至今一直坚持走IDM（芯片设计与芯片制造一体）的发展模式，在投入电路工艺研发的同时，士兰微电子也同时进行了多个门类的分立器件芯片的研发与生产，目前已有包括全系列稳压管、开关二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、TVS/ESD保护管、高压/低压MOS管、双极型三极管等八个系列的分立器件产品投入量产，今后士兰微还会进一步提高研发效率，改善工艺，推出更多满足客户使用需求的高性能分立器件产品。
TO-220F 系列： SVD2N60F SVD4N60F SVD5N60F SVD7N60F SVD8N60F SVD10N60F SVD12N60F SVD13N50 SVD2N70F 


SVD2N60F SVD4N60F SVD5N60F SVD7N60F SVD8N60F SVD10N60F SVD12N60F SVD13N50 SVD2N70F是SILAN新推的S-RIN技术的MOS，SVD2N60F SVD4N60F SVD5N60F SVD7N60F SVD8N60F SVD10N60F SVD12N60F SVD13N50 SVD2N70F可以直接替代现在市场上仙童和ST等主流品牌的MOS.