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 M25P64是一款带有先进写保护机制和高速SPI总线访问的8 M字节串行Flash存储器，该存储器主要特点：8 M字节的存储空间；写入1页数据所需时间为1．4 ms(典型值)；能单块擦除和整块擦除：2．7～3．6 V单电源供电电压；SPI总线和50 MHz数据传输时钟频率；每扇区擦写次数保证10万次、数据保存期限至少20年。该款器件特别适用于一体化打印机、PC主板、机顶盒、CD唱机和DVD视盘机、数字电视、数码相机、图形卡和平面显示器等各种应用的代码和数据存储需求。
    M25P64采用SOl6封装，其引脚排列图如图1所示。其部分主要引脚功能描述如下：引脚Q：输出串行数据。引脚D：输入串行数据。引脚C：串行时钟信号输入。引脚S：片选，该引脚低电平有效。若为高电平，串行数据输出(Q)为高阻抗状态。引脚HOLD：控制端，暂停串行通信。在HOLD状态下，串行数据输出(Q)为高阻抗，时钟输入(C)和数据输入(D)无效。引脚W：写保护端，能够限制写指令和擦除指令的操作区域，低电平有效。

 M25P64写入一个字节数据需写使能(WREN)和写入(PP)指令，后者具有4个字节。采用这两个指令实现单页编程。对于某个单字节空间的操作，在使用PP指令之前需要对其擦除(FFh)。擦除操作可通过单块擦除指令(SE)和整块擦除(BE)来完成。擦除之前需要先执行WREN指令。当片选S信号为低电平，则选中该器件，此时处于有效电源模式；当片选S信号为高电平，器件未被选中，但能在所有内部指令周期(写入，擦除，写状态寄存器)完成前保持有效电源模式。等指令周期完成则进入备用电源模式。通过特殊指令来读取或设置状态寄存器内的状态位和控制位，实现相应操作。
    在该器件所有输入输出的指令、地址和数据中，数据置于首位。当片选信号被拉为低电平，在时钟信号的第一个下降沿开始采样数据输入信号。每个指令序列都是以单字节指令代码开头，紧接着就是地址或数据。在读取数据、快速读取数据、读状态寄存器、读标识和读电子签名时，数据输出序列紧随输入指令序列。当数据输出序列的所有数据位都输出后，片选信号置为高电平。而在页面数据写入、单块擦除、整块擦除、写状态寄存器、写使能和写无效时，片选信号必须在一个字节内置为高电平。否则，指令不执行。也就是说，拉低片选信号后，时钟信号必须是8的整数倍。在写状态寄存器周期、数据写入周期或者擦除周期，则忽略任何对存储空间的访问，并不会对这些周期产生影响。表l为M25P64的指令表。
    (1)写使能(WREN) 写使能指令用于设置内部写使能锁存器位。在页面数据写入、单块擦除、整块擦除和写状态寄存器之前，必须先执行写使能。当片选信号拉低后，就开始执行写使能指令，接着传输指令。指令发送完后，片选信号置为高电平。

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