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HK1225 通用随机存储器HK1225-7 8K×8 HK1225-7 64K非易失性SRAM为65536bit完全静态非易失性存储SRAM组成8位8192字长。每片NVRAM有一个自带锂电源和控制电路经常监视Vcc是否超过容许条件。当超过容许条件时锂电源自动接通写保护无条件启动以保护混淆数据。NVSRAM 能够直接用来替代现有的8K8SRAM符合普通字节宽度的28-pin DIP标准。HK1225-7 同样匹配2764EPROM或2864 EEPROM 的引出线提高性能时可直接替代。可执行的写循环次数没有限制微处理器界面也不需要附加支持电路。 一 HK1225引脚排列 二 HK1225读取模式 HK1225-7在WE写使能被禁止high且CE片选被选中Low且CE2片选2被选中High并且OE读信号被使能Low执行一次读循环。13个地址输入线A0-A12指定的唯一的地址定义将要被访问。最后输入信号稳定后8位数据输出驱动器将在tACC时序内得到有效数据。 三、HK1225写模式 地址输入稳定后HK1225-7在WE和CE信号处于激活低电平状态且CE2片选2被选中High为写模式。最后出现的CE或WE下降沿将决定写循环的开始写循环终止于CE或WE前边的上升边沿。在写循环内所有地址输入必须保持有效。在下一个循环能被初始化前WE写信号必须将高电平保持最少记录时间tWR。写循环期间OE控制信号应当保持失效高电平避免总线冲突如果输出总线已经有效CE和OE激活则写信号可以在tODW时序内从下降边沿开始禁止输出。 四、HK1225数据保存模式 HK1225-7为Vcc提供全部功能当Vcc大于4.5伏或4.75伏写保护为4.35伏或4.75伏。当Vcc掉电时保存数据没有任何附加支持电路的需要。HK1225通常监视Vcc。如果支持电压降低RAM自动写保护其本身。所有对RAM的输入变为“不接收”所有输出为高电阻。当Vcc降低到大约3.0伏时电源转换电路将用锂电源向RAM供电保存数据。电压升高时当Vcc升高到大约3.0伏时电压转换电路将外部Vcc与RAM连接。正常RAM操作在Vcc超过4.5伏或4.75伏后能够重新开始。 五、HK1225出厂状态及运输 HK1225从半导体出厂均保证满电量。运输及使用中的重力加速度不应超出1.5G否则影响寿命。 六、HK1225验收及服务 本产品验收期为1个月即自客户得到本产品后对以下各项性能指标进行验收如果异议应在1个月内提出更换或退货。质量保证期即服务期为一年如产品在一年内非使用问题而产生的产品质量问题并且未经使用损坏的经我公司检验认可可以给予更换。我公司拥有对以上条款的最终解释权。 七、HK1225各项指标 ① 最大范围 1. HK1225-7各脚对地电压 -0.35.0V 2. HK1225-7储存温度 -40℃70℃ 3. HK1225-7焊接温度 200℃不能超过5秒 4. HK1225-7操作温度 0℃55℃ 准工业级0℃70℃ 5. HK1225-7工业级-40℃70℃ 注HK1225-7长期暴露在工作在以上最大范围下将影响使用周期 ②HK1225-7推荐操作条件 0℃to70℃