北京恒峰万通科技有限公司 （非本站正式会员）

 THB8128高细分两相混合式步进电机驱动芯片

产品简介

双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.40Ω

最高耐压50VDC，大电流4.3A（峰值）

多种细分可选（1/2、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128、1/10、1/20）

自动半流锁定功能

快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选

内置温度保护及过流保护

使用说明：

1、芯片击穿的电压为50V（空载状态下），电机在运行时会产生的感应电动势，电感越大、速度越快产生的电动势越大。所以在选择电源时，需要把这考虑进去，推荐最高使用42V以下电源。

2、因其功率桥部分使用MOS管，在设计电路时可不需要另外加8个续流二极管（电流若是大于3.5A还是要加的，以降低芯片的功耗，最好选用2A肖特基二极管）.

3、FDT有三种模式，Vfdt<0.8V时为快衰减，1.1V

4、OSC1为衰减时间设置，推荐100pF～470pF之间，对应的衰减时间约10～47us。Cosc1的大小决定了衰减时间的长短。

5、OSC2为半流检测时间，推荐1000pF～2000pF之间，对应时间约为0.4～0.8s。如果在这个时间段内CLK没有变化，DOWN将输出一个低电平，否则DOWN维持断开状态。

6、DOWN的作用：当Tosc2时间内没有脉冲输入，DOWN输出低电平，通过相连的电阻将VREF的电压拉低，进而减小芯片输出电流。可通过减小这个电阻阻值而将锁定电流更进一步的降低。即改变下图中电阻R19的大小.

7、在四个电机输出端与地之间需接入电阻Rx，阻值视供电电压而定，VM/Rx在5mA左右即可。作用是减弱堵转时产生的毛刺对芯片损坏。

8、在靠近6脚（VCC）,5脚（VM）,21脚（VM）管脚处各放置1个0.1uf的电容。

9、检测电阻选用2512封装的贴片或2W的金属膜，推荐使用0.22Ω，电流大小按下面公式计算：VREF=3*Io*Rs

10、在画PCB时，芯片周围的安全间距至少要15mil（0.381mm），在四个电机输出端和电源端尤其需要注意。

11、20脚的数字地与3、23脚的模拟地之间布线要尽量短，检测电阻和芯片之间的连线要短、粗，两者的地线端相连也要短粗。模拟地与检测电阻接地端必须就近直接连接。