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Infineon Technologies BSO612CV G分离式半导体产品,现货供应BSO612CV G接受批量订货

  • Infineon Technologies BSO612CV G分离式半导体产品,现货供应BSO612CV G接受批量订货
产品价格:
电话咨询/ 1pcs
交易说明:
原装!现货热卖
厂 家:
Infineon Technologies
封 装:
SOP-8
批 号:
2012+环保无铅
数 量:
20000
 
点此询价

产品咨询直线:021-51571676

产品详细说明

描述MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
标准包装2,500
类别分离式半导体产品
家庭FET - 阵列
系列SIPMOS®
FET 型N 和 P 沟道
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A,2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 20µA
闸电荷(Qg) @ Vgs15.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds340pF @ 25V
功率 - 最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装PG-DSO-8
包装带卷 (TR)
其它名称BSO612CV G-NDBSO612CVGINTRBSO612CVGTBSO612CVGXTBSO612CVTBSO612CVXTINTRBSO612CVXTINTR-NDSP000216307
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