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数据列表 FM24CL04B 产品相片 8-SOIC 标准包装 2,500 类别 集成电路 (IC) 家庭 存储器 系列 - 格式 - 存储器 RAM 存储器类型 FRAM (Ferroelectric RAM) 存储容量 4K (512 x 8) 速度 1MHz 接口 I²C, 2 线串口 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V 工作温度 -40°C ~ 85°C 封装/外壳 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） 供应商设备封装 8-SOIC 包装 带卷 (TR) 铁电存储技术早在1921年提出，直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品，目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年，FRAM又有新的发展，采用了0.35 m工艺，推出了3V产品，开发出“单管单容”存储单元的FRAM，最大密度可达256K位。 FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。