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深圳市万国高科电子有限公司
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产品分类
供应AO4409L场效应管，AOS MOSFET原装正品
产品详细说明
AO4409L的参数：
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25℃：15A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.5 毫欧 @ 15A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.7V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs：120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：6400pF @ 15V
功率 - 最大：3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOIC
包装：带卷 (TR)
过去数十年来，MOSFET的尺寸不断地变小。早期的积体电路MOSFET制程里，通道长度约在几个微米（micrometer）的等级。但是到了今日的积体电路制程，这个参数已经缩小了几十倍甚至超过一百倍。2006年初，Intel开始以65纳米（nanometer）的技术来制造新一代的微处理器，实际的元件通道长度可能比这个数字还小一些。至90年代末，MOSFET尺寸不断缩小，让积体电路的效能大大提升，而从历史的角度来看，这些技术上的突破和半导体制程的进步有著密不可分的关系。
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| 具体铺位： | 深圳市福田区福强路4001号深圳市文化创意园306栋H馆四 楼 | 仓库位置： | 深圳市福田区都会电子商城2楼2C003 |
|---|---|---|---|
| 场地合同： | 已核查 | 核查时间： |
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