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Fairchild Semiconductor NDS8852H分离式半导体产品,现货供应NDS8852H接受批量订货

  • Fairchild Semiconductor NDS8852H分离式半导体产品,现货供应NDS8852H接受批量订货
产品价格:
电话咨询/ 1pcs
交易说明:
原装!现货热卖
厂 家:
Fairchild Semiconductor
封 装:
SOP
批 号:
2012+环保无铅
数 量:
100
 
点此询价

产品咨询直线:021-51571676

产品详细说明

描述MOSFET N+P 30V 3.4A 8-SOIC
RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
标准包装2,500
类别分离式半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
FET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.3A,3.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 3.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds300pF @ 15V
功率 - 最大1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)
其它名称NDS8852HTR
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