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产品价格:
电话咨询/ 1pcs
交易说明:
原装!现货热卖
厂 家:
Infineon Technologies
封 装:
P-TO262-3-1
批 号:
2012+环保无铅
数 量:
11000
 
点此询价

产品咨询直线:021-51571676

产品详细说明

描述MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
数据列表SP(P,I,A)11N60C3
产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装500
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C380 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 500µA
闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
功率 - 最大125W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装PG-TO262-3
包装管件
其它名称SP000013522SPI11N60C3BKSA1SPI11N60C3INSPI11N60C3XSPI11N60C3X-NDSPI11N60C3XKSPI11N60C3XKSA1
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