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Ample Solutions(深圳安普达迅电子）
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产品分类
IPD031N03LG原装Infineon Technologies分离式半导体产品现货供应，环保现货IPD031N03LG价格优惠
产品详细说明
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 |
| 数据列表 | IPD031N03L G |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单路 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.1 毫欧 @ 30A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 90A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 51nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 5300pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 94W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | IPD021N03LGINCT IPD021N03LGINCT-ND IPD031N03LGINCT |
