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描述 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 115mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 7.5 欧姆 @ 500mA,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
功率 - 最大 | 225mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3(TO-236) |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | 2N7002LT1GOSTR |
具体铺位: | 深圳市福田区华强北街道中航路7号鼎诚大厦1808 | 仓库位置: | 广东深圳深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦611室 |
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场地合同: | 已核查 | 核查时间: |