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描述 | Transistors Switching (Resistor Biased) PRE-BIAS NPN 200mW |
制造商 | Diodes Inc. |
产品种类 | Transistors Switching (Resistor Biased) |
配置 | Single |
晶体管极性 | NPN |
典型输入电阻器 | 4.7 KOhms |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOT-23-3 |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
功率耗散 | 0.2 W |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 | Reel |
发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
最小工作温度 | - 55 C |
工厂包装数量 | 3000 |
具体铺位: | 深圳市福田区华强北街道中航路7号鼎诚大厦1808 | 仓库位置: | 广东深圳深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦611室 |
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场地合同: | 已核查 | 核查时间: |