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19年
| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) PNP General Purpose |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 产品种类 | Transistors Bipolar (BJT) |
| 晶体管极性 | PNP |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 45 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | - 5 V |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 250 |
| 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 80 MHz |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-92 |
| 封装 | Bulk |
| 集电极连续电流 | - 0.8 A |
| 功率耗散 | 625 mW |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 具体铺位： | 深圳市福田区华强北街道中航路7号鼎诚大厦1808 | 仓库位置： | 广东深圳深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦611室 |
|---|---|---|---|
| 场地合同： | 已核查 | 核查时间： |
