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18年描述 | MOSFET USE 512-FDS3682 |
制造商 | Fairchild Semiconductor |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 5.5 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.039 Ohms |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow |
封装 | Tube |
下降时间 | 31 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 2.5 W |
上升时间 | 23 ns |
工厂包装数量 | 98 |
典型关闭延迟时间 | 39 ns |
具体铺位: | 深圳市福田区华强北街道中航路7号鼎诚大厦1808 | 仓库位置: | 广东深圳深圳市福田区振中路新亚洲二期国利大厦611室 |
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场地合同: | 已核查 | 核查时间: |