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深圳东升宏日电子科技有限公司
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产品详细说明
描述 | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level |
RoHS | 镉(Cd)/镉化合物 0.01% 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10% 铅(Pb)/铅化合物 0.10% 汞(Hg)/汞化合物 0.10% 多溴联苯(PBB)0.10% 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10% 说明:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level |
制造商 | Fairchild Semiconductor |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
闸/源击穿电压 | +/- 16 V |
漏极连续电流 | 76 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.006 Ohms at 10 V |
配置 | Single |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TO-263AB |
封装 | Reel |
下降时间 | 31 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 70 W |
上升时间 | 11 ns |
典型关闭延迟时间 | 89 ns |
