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这些双N沟道逻辑电平增强模式领域
场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，
高密度，DMOS技术。这非常高的密度
过程特别是针对减少通态电阻。
该设备的设计，尤其是低电压
作为数字晶体管的替代品的应用。由于偏置
电阻器不是必需的，这些N-沟道FET的可以取代
几个数字晶体管，与各种偏置电阻。
                                                                     
特点
25 V，0.22 A连续，0.5 A峰值。
  RDS（ON）
 =5 W@ VGS=2.7 V
                 RDS（ON）
 =4 W @ VGS =4.5 V。
非常低的水平栅极驱动要求可直接
在3V电路。 VGS（TH）
<1.5V。
门源齐纳二极管对ESD的耐用性。
>6kV人体模型。

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