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产品详细说明

2N7002K-T1-E3
标准包装 3,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 TrenchFET®
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) 60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 300mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 0.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 30pF @ 25V
功率 - 最大值 350mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
包装 带卷 (TR)


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