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供应IRFD110PBF,MOSFET N 通道IRFD110PBF,热卖IRFD110PBF

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交易说明:
原装正品 款到发货 快递代收
配送说明:
快递/送货上门
厂 家:
IR
封 装:
DIP
批 号:
12+
数 量:
5000
 
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产品详细说明

数据列表 IRFD110


标准包装 2,500
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 1A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 540 毫欧 @ 600mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 8.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 180pF @ 25V
功率 - 最大值 1.3W
安装类型 通孔
封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
包装 管件