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深圳市晶立弘泰电子科技有限公司
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供应IRFD110PBF,MOSFET N 通道IRFD110PBF,热卖IRFD110PBF
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- 厂 家:
- IR
- 封 装:
- DIP
- 批 号:
- 12+
- 数 量:
- 5000
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产品详细说明
数据列表 |
IRFD110 |
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标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 1A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 540 毫欧 @ 600mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 8.3nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 180pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1.3W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
包装 | 管件 |