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供应分立半导体产品IPB036N12N3 G现货
产品详细说明
| 现有数量 | 100 |
|---|---|
| 制造商 |
Infineon Technologie |
| 制造商零件编号 |
IPB036N12N3 G |
| 描述 | MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 |
| 对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 标准包装 | 1,000 |
|---|---|
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 120V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 180A |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 3.6 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 211nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 13800pF @ 60V |
| 功率 - 最大值 | 300W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
芯科国际https://www.ebuyic.cn/ 联系方式：83047629、13751165621 王小姐
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