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深圳市晶立弘泰电子科技有限公司
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产品详细说明
数据列表 |
IRF640N(S,L)PbF |
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产品相片 |
TO-220-3, TO-220AB |
产品培训模块 |
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标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 18A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 150 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 67nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1160pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 150W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |