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承泽电子(北京)有限公司
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产品分类
供应晶体管STD12NF06LT4,STD12NF06LT4价格优惠!STD12NF06LT4现货!
产品详细说明
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极 (Base) 和集电极(Collector); 场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。晶体管因为有三种极性,所以也有三种的使用方式,分别是发射极接地(又称共射放大、CE组态)、基极接地(又称共基放大、CB组态)和集电极接地(又称共集放大、CC组态、发射极随隅器)。
STD12NF06LT4技术参数:
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全新原装进口北京现货,可供样品,长期供应。
封装类型
DPAK
尺寸
6.6
x 6.2 x 2.4mm
引脚数目
3
工作温度
-55
°C
最大功率耗散
30000 mW
最大栅源电压
±16 V
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
0.1 Ω
最大连续漏极电流
12 A
最高工作温度
+175 °C
每片芯片元件数目
1
类别
功率 MOSFET
通道模式
增强
通道类型
N
配置
单
长度
6.6mm
高度
2.4mm