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深圳市柏羽科技有限公司
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产品详细说明
描述 | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 700 毫欧 @ 3A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.75W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | DPAK-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | MTD6N20ET4GOSMTD6N20ET4GOS-NDMTD6N20ET4GOSTR |
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