深圳市群方电子有限公司 （非本站正式会员）

供应FQU2N60原装现货

标准包装：1,000

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 单

系列：QFET™

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

漏极至源极电压(Vdss)：600V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.4A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.7 欧姆 @ 1.2A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds：350pF @ 25V

功率 - 最大：64W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220

群方所有物料都保原装正品，如非原装正品，可无条件退货！

我公司专业代理经销FAIRCHILD（仙童）， EVERLIGHT， UTC, ON， IR，TI， MPS等品牌的元器件 IC，热忱为广大生产厂商提供服务，欢迎前来洽谈订购！

 联系人：

         李先生     TEL：0755-23110658  QQ：2355819027 

         肖小姐     TEL：0755-36626653  QQ：2355819020

         谭小姐     TEL：0755-83722483  QQ：2355819023

         田小姐     TEL：0755-83723386  QQ：2355819028

         杨小姐     TEL：0755-81754565  QQ：2355819024

         
   FAX：0755-28199449   手机：13714381771
   邮箱：2355819027@qq.com 

   公司网址：https://qunfangdianzi3.ic37.com/

基本信息

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出

  n沟道mos管符号

一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片。而P沟道常见的为低压Mos管。^[1]

场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影

  p沟道mos管符号

一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。