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深圳市群方电子有限公司
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供应IRFP150NPBF原装IR代理
产品详细说明
供应IRFP150NPBF原装IR代理
标准包装：25
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：42A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：36 毫欧 @ 23A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：1900pF @ 25V
功率 - 最大：160W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商设备封装：TO-247AC
包装：散装
其它名称：*IRFP150NPBF
群方所有物料都保原装正品，如非原装正品，可无条件退货！
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场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
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| 具体铺位： | 深圳市福田区中航路国利大厦A座1008室 | 仓库位置： | 深圳市福田区中航路国利大厦A座1008室 |
|---|---|---|---|
| 场地合同： | 已核查 | 核查时间： |
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