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供应SI2301BDS性能及参数
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场效应管SI2301BDS 是Vishay Siliconix 的产品，它是一只P 沟道、150mW、0.8V（G-S）MOSFET 器件。MOSFET 的中文全称是“金属氧化物半导体场效应晶体管”， 它是电压型控制器件。
基本参数有导通电阻RDS、GS 电压VGS、漏极电流ID 等，一般VGS 越大的管子RDS 越小，当然
RDS 越小越好，一般为几十毫欧姆。SI2301BDS 的VGS 为0.8V， RDS 为0.1 Ω左右，ID 为11A，是一只性能不错的MOSFET。
2脚接在电池，VDD电压即为电池电压，当VDD下降到IC检测电压3V时，输出脚1脚输出低电平，
这时Q1导通，Q2栅极为高电平，Q2截止，VDD_BAT无电压输出，整机断电；
当VDD电压大于IC检测电压3V，1脚输出高电平，Q1截止，Q2栅极电压为低电平，Q2导通，电池电
压从漏极输出至VDD-BAT，整机通电。
另外，我们现在的X5 电路中，已经取消了低电压检测功能，Q2 左边的电路空贴，电池电压直接
通过R24 的零欧电阻接到VDD_BATT，由软件检测电池电压,低于3.6V 左右的时候就自动关机。
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