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产品详情

P2003EVG

P沟道增强模式的逻辑电平场效应晶体管

绝对最大额定值（TC = 25°C除非另有说明）

参数/测试条件的限制的单位符号

漏源电压VDS - 30 V

栅源电压Vgs±20 V

TC = 25°C 9

连续漏电流

TC = 70°C

编号8

脉冲漏current1 IDM - 50

一个

TC = 25°C 2.5

功率耗散

TC = 70°C

PD 1.3

W

工作结和贮藏温度Tj，最大容许55至150

°C

热电阻值

热电阻典型的最大单位符号

结到外壳的RθJC 25°C / W

结到环境的RθJA 50°C / W

由最高结温限制1pulse宽度。

2duty周期≤1%

电气特性（TC = 25°C，除非另有说明）

参数符号试验条件的限制

最大

单元

静态的

漏源击穿电压V（BR）的DSS VGS = 0V，id = 250μ- 3

栅极阈值电压Vgs（TH）VDS = VGS，id = 250μ一- 1 - 1.5 -

V

门体漏IGSS VDS = 0V，VGS =±20V±100钠

VDS = - 24V，VGS = 0V - 1

零电压的漏极电流的智能决策支持系统

VDS = 20V，VGS = 0V时，温度Tj = 125°C 10

μ

状态漏current1 ID（上）VDS = 5V，10V VGS = - 50

在国家的VGS = 4.5v漏源，id = - 7A 25 35

中测试的RDS（上）VGS = - 10V，id = - 9A 15 20

我�

提出了transconductance1 GFS VDS = - 10V，id = - 9A 24

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