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产品分类
半导体存储器(1)
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供应集成电路IC K4T51163QJ-BCF7,原装现货K4T51163QJ-BCF7,热卖优势库存K4T51163QJ-BCF7
- 产品价格：
- ￥5.5/ 1k
- 交易说明：
- K4T51163QJ-BCE7 K4T51163QJ-BCF7K4T51163QJ-BCE6 全新原装现货热卖
- 配送说明：
- 主营:集成电路IC 内存芯片 MOS管 等可为客户提供配套服务
- 厂 家：
- SAMSUNG
- 封 装：
- BGA
- 批 号：
- 13+
- 数 量：
- 51200
产品咨询直线：0755-82566442
产品详细说明
SAMSUNG DDR 存储颗粒系列
SAMSUNG DDR2 32*16 512MB K4T51163QJ-BCF7 全新包装1280
线性集成电路IC功能特性
线性双极型工艺通常可达到50～60伏的耐压性能。若要获得近100伏或更高的耐压性能,可采取如下措施：
①增加N型外延层厚度（如 20微米以上），以提高NPN管的击穿电压；
②增加氧化层厚度,防止带负电位的金属互连线在跨越横向PNP晶体管时产生寄生MOS管效应；
③用场电极保护隔离结表面，以避免电场过于集中，导致击穿电压降低。
线性CMOS技术 这是一种十分复杂的通用性兼容技术，能同时制作各种双极型器件和CMOS器件。用这种技术可将高性能线性电路与高密度的高速逻辑电路结合在一个芯片上。一种用难熔金属钼作为栅极材料的线性CMOS工艺，能把P沟道与N沟道MOS器件制作在线性双极型芯片的N型外延层上，仅须用10次光刻,它具有铝与钼两层互连线。P沟道与N沟道器件可单独或共用一个N区。
