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产品分类
半导体存储器(1)
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供应集成电路IC K4T51163QI-HCE7,全新原装K4T51163QI-HCE7.热卖优势库存K4T51163QI-HCE7
- 产品价格：
- ￥5.5/ 1k
- 交易说明：
- K4T51163QI-HCE6 K4T51163QI-HCE7 全新原装现货热卖
- 配送说明：
- 主营:集成电路IC 内存芯片 MOS管 等可为客户提供配套服务
- 厂 家：
- SAMSUNG
- 封 装：
- BGA
- 批 号：
- 11+
- 数 量：
- 12800
产品咨询直线：0755-82566442
产品详细说明
SAMSUNG DDR 存储颗粒系列
K4T51163QI-HCE7 SAMSUNG DDR2 32*16 512MB 一个包装 1280
1、线性集成电路结构特性
线性集成电路一般采用标准双极型工艺制造。为获得高性能电路，有时在标准工艺基础上作某些修改或采取附加的制造工序，以便在同一芯片上制作不同性能的各种元件和器件。在双极型芯片上制作高性能结型场效应晶体管的技术。当芯片上NPN管形成后,分别用两次离子注入技术掺杂形成低浓度P-型沟道和高浓度N+型栅区其栅-漏击穿电压可达50～60伏,夹断电压可控制在1伏左右。通常的击穿二极管利用 NPN晶体管的eb结，其击穿现象发生在结表面。而亚表面击穿二极管则是在N+型发射区下用离子注入法制作一个高浓度P+型层,在表面下方深处形成一个N+-P+结。这种晶体管的击穿电压低于表面结的击穿电压，击穿过程不受表面状况的影响，噪音低，并且具有良好的长期稳定性。
