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产品分类
半导体存储器(1)
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全新原装K9F1208U0C-PCB0 现货库存K9F1208U0C-PCB0 热卖K9F1208U0C-PCB0
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- K9F1208U0C-PCB0 全新原装正品欢迎来电订购
- 配送说明：
- 主营:集成电路IC 内存芯片 MOS管 等可为客户提供配套服务
- 厂 家：
- SAMSUNG
- 封 装：
- TSOP48
- 批 号：
- 12+
- 数 量：
- 9600
产品咨询直线：0755-82566442
产品详细说明
K9F1208U0C-PCB0
SAMSUNG NAND FLASH 64M
目前，有三代DDR存储器：
DDR1存储器，400 MHz最大速率时钟和64位（8字节）数据总线，现正逐渐过时，且不再批量生产。这一技术正采用新方式来实现RAM存储器的更快速度/数据速率。
DDR2技术正以400 MHz至800 MHz的数据速率和64位（8字节）数据总线代替DDR。RAM制造商目前正大量生产的DDR2存储器与上一代DDR存储器不能物理兼容。
DDR3技术拾起的正是DDR2遗忘的技术（800 Mbps带宽），并使速度达到1.6 Gbps。ELPIDA已宣布的一个芯片包含高达512兆的DDR3 SDRAM，8.75 ns（CL7延迟）的列存取时间以及1.6 GHz时1.6 Gbps的数据传输速率。与DDR2存储器相比，1.5V DDR3电压电平还更省电。更有趣的是，在更低的1.36V上，DDR3 RAM在具有CL6延迟（总CAS时间为8.4 ns）的1.333 GHz（DDR3-1333）上运行正常，这可与目前最快DDR2存储器的CAS时间相媲美。
图显示DDR2/DDR3存储器类型的片内终结器（ODT）与DDR1母板终结的比较，这也是为什么前两个类型与DDR1器件不能物理兼容的主要原因。
