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产品分类
半导体存储器(1)
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供应内存芯片IC H5DU1262GTR-E3C，热卖库存H5DU1262GTR-E3C,现货价优H5DU1262GTR-E3C
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- 交易说明：
- 代理全新原装海力士内存芯片H5DU1262GTR-E3C
- 配送说明：
- 主营:集成电路IC 内存芯片 MOS管 等可为客户提供配套服务
- 厂 家：
- HYNIX
- 封 装：
- TSOP
- 批 号：
- 12+
- 数 量：
- 10000
产品咨询直线：0755-82566442
产品详细说明
H5DU1262GTR-E3C DDR 128M TSOP66
DDR1存储器有一个推拉输出缓冲器，而输入接收器是一个需要参考偏移中点VREF的微分级。因此，它要求一个能够供应和汲取电流的输入电压终结。这一特性把DDR VTT从出现在计算机母板上的其他终结区分开来。由于其正轨终结，连接CPU与存储器通道控制中心（MCH）的前置系统总线（FSB）终结只需要接收功能。因此，这种DDR VTT终结不会重新使用或调节以前的VTT终结架构，而要求新设计。图显示DDR1存储器的典型电源管理配置。
在驱动芯片组的任何输出缓冲器和存储器模块上的相应输入接收器之间，您必须终结电阻器RT和RS的路由痕迹（如图）。所有抗阻，包括输出缓冲器，每条终结线路都可以供应或汲取±16.2 mA的电流（根据2000年6月的JESD79修订，这比以前的值±15.2 mA大）。对于那些在发射器和接收器间有较长追踪长度的系统来说，可能必须在两端终结线路，从而把电流提高一倍。
