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产品分类
半导体存储器(1)
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代理内存芯片IC H5TQ1G63BFR-H9C，热卖现货H5TQ1G63BFR-H9C，优势库存H5TQ1G63BFR-H9C
- 产品价格：
- ￥7.8/ 1k
- 交易说明：
- 全新原装海力士H5TQ1G63BFR-H9C DDR2 1GB 64*16 BGA84
- 配送说明：
- 主营:集成电路IC 内存芯片 MOS管 等可为客户提供配套服务
- 厂 家：
- HYNIX
- 封 装：
- BGA84
- 批 号：
- 12+
- 数 量：
- 16000
产品咨询直线：0755-82566442
产品详细说明
全新原装海力士H5TQ1G63BFR-H9C DDR2 1GB 64*16 BGA84
随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大，FLASH型存储器的用量迅速增长。FLASH芯片由于其便携、可靠、成本低等优点，在移动产品中非常适用。市场的需求催生了一大批FLASH芯片研发、生产、应用企业。为保证芯片长期可靠的工作，这些企业需要在产品出厂前对FLASH存储器进行高速和细致地测试，因此，高效FLASH存储器测试算法的研究就显得十分必要。
不论哪种类型存储器的测试，都不是一个十分简单的问题，不能只将存储器内部每个存储单元依次测试一遍就得出结论，这是因为每一个存储单元的改变都有可能影响存储器内部其他单元的变化（这种情况又是常常发生的）。这种相关性产生了巨大的测试工作量［1］。另外，FLASH存储器有其自身的特点，它只能将存储单元内的数据从“1”写为“0”，而不能从“0”写为“1”，若想实现“0”－>“1”操作，只能把整个扇区或整个存储器的数据擦除，而擦除操作要花费大量的时间。FLASH存储器还有其他特性，比如读写速度慢、写数据之前要先写入状态字、很多FLASH只适于顺序读写而不适于跳转操作等，这些特点都制约了FLASH存储器的测试。
