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供应内存IC K4B1G1646E-HCH9 原装SAMSUNGK4B1G1646E-HCH9 DDR3 1GB
- 产品价格：
- 交易说明：
- 代理全新原装内存芯片DDR3 K4B1G1646E-HCH9
- 配送说明：
- 主营:集成电路IC 内存芯片 MOS管 等可为客户提供配套服务
- 厂 家：
- SAMSUNG
- 封 装：
- BGA96
- 批 号：
- 11+
- 数 量：
- 50000
产品咨询直线：0755-82566442
产品详细说明
K4B1G1646E-HCH9 DDR3 1GB 64*16 温度0-85 频率DDR3 1333 伏数 1.5V
闪速存储器(Flash Memory)是一类非易失性存储器NVM(Non-Volatile Memory)即使在供电电源
关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失.相对传统的EEPROM芯片，这种芯片可以用电气的方法快速地擦写.由于快擦写存储器不需要存储电容器，故其集成度更高，制造成本低于DRAM.它使用方便，既具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度，又具有ROM在断电后可不丢失信息的特点，所以快擦写存储器技术发展最迅速。
本公司热门库存：
处理器：DM9000AEP S3C2440AL-40 S3C2410AL-20 S3C2410AL-26
内存：HY57V561620FTP-H H57V2562GTR-75C H5PS5162GFR-Y5C H5PS1G63EFR-S6C H5PS1G63EFR-Y5C MT48LC16M16A2P-75IT MT48LC32M16A2P-75IT K4S511632D-UC75 K4S561632J-UC75 K4S561632E-UC75 K4S561632H-UC75 K4S561632N-LC75 K4T1G164QF-BCE7 K4T1G164QF-BCF7 K4T1G164QE-HCE7 K4B1G1646G-BCH9 K4B1G1646E-HCH9...
闪存（FLASH）:K9F5608UOD-PCBO K9F5608UOC-PCBO K9F1208UOC-PCBO K9F2808UOC-PCBO K9F2808UOC-PIBO K9F2808UOC-YCBO K9F1208UOB-PCBO JS28F128J3D75 JS28F256P30B95 K9F1G08UOC-PCBO K9F1G08UOB-PCBO K9F1G08UOD-PCBO...
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