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产品分类
IPD60R385CP特低价供应Infineon Technologies半导体,IPD60R385CP半导体,厂家直销 量大优惠
- 产品价格:
- 电话咨询/ 1pcs
- 交易说明:
- 【★★全新原装正品现货!假一赔十,彭冬梅15013723799★★】
- 厂 家:
- Infineon Technologies
- 封 装:
- TO-252
- 批 号:
- 12+
- 数 量:
- 20000
产品咨询直线:0755-83267369
产品详细说明
描述 | MOSFET N-CH 600 V 9 A |
RoHS | 镉(Cd)/镉化合物 0.01% 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10% 铅(Pb)/铅化合物 0.10% 汞(Hg)/汞化合物 0.10% 多溴联苯(PBB)0.10% 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10% 说明:MOSFET N-CH 600 V 9 A |
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 600 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 9 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.385 Ohms |
配置 | Single |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TO-252 |
封装 | Reel |
下降时间 | 5 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 83 W |
上升时间 | 5 ns |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
零件号别名 | IPD60R385CPBTMA1 IPD60R385CPXT SP000307381 |
