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供应ST品牌,原装正品,长期现货,STD8NM60N

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产品价格:
3.00/ 1pcs
2.8/ 10pcs
2.7/ 100pcs
2.60/ 1k
2.50/ 10k
厂 家:
ST
封 装:
TO-252
批 号:
+13
数 量:
100000
 
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产品详细说明

数据列表 STx8NM60ND
产品相片 TO-263
其它有关文件 STD8NM60ND View All Specifications
PCN Obsolescence Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013
标准包装 ?  2,500
类别 分立式导体产品
家庭 FET - 单
系列 FDmesh™
包装 ?  带卷 (TR) ? 
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 7A (Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 700 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 560pF @ 50V
功率 - 最大值 70W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装 D-Pak
其它名称 497-8775-2