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深圳市万国高科电子有限公司
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产品分类
供应AO4407a MOSFET，表面贴装MOSFET
产品详细说明
AO4407a MOSFET具体参数：
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：A04xxx
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11 毫欧 @ 12A, 20V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V
闸电荷(Qg) @ Vgs：39nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：2600pF @ 15V
功率 - 最大：3.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOIC
包装：带卷 (TR)
MOSFET的核心：金属-氧化层-半导体电容
金属-氧化层-半导体结构MOSFET在结构上以一个金属-氧化层-半导体的电容为核心（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料），氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器（capacitor），氧化层扮演电容器中介电质（dielectric material）的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数（dielectric constant）来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。
当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟著改变。考虑一个p-type的半导体（电洞浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端（如图）时，电洞的浓度会减少，电子的浓度会增加。当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过电洞。这个在p-type半导体中，电子浓度（带负电荷）超过电洞（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层（inversion layer）。
MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载子（majority carrier）的源极以及接受这些多数载子的漏极。
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| 具体铺位： | 深圳市福田区福强路4001号深圳市文化创意园306栋H馆四 楼 | 仓库位置： | 深圳市福田区都会电子商城2楼2C003 |
|---|---|---|---|
| 场地合同： | 已核查 | 核查时间： |
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