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深圳市世新微电子有限公司
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- 产品价格：
- 电话咨询/ 1pcs
- 交易说明：
- 全新原装，批量可定，部分现货
- 厂 家：
- International Rectifier
- 批 号：
- 07+
- 数 量：
- 2500
产品咨询直线：0755-83282351
产品详细说明
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 标准包装 | 95 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 50 毫欧 @ 2.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 520pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 管件 |
