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深圳市世新微电子有限公司
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STB11NM80T4分离式半导体产品原装热卖,专销STMicroelectronics STB11NM80T4分离式半导体产品
产品详细说明
描述 | MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
其它有关文件 | STB11NM80 View All Specifications |
标准包装 | 1 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | MDmesh™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 400 毫欧 @ 5.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 43.6nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1630pF @ 25V |
功率 - 最大 | 150W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | Digi-Reel? |
其它名称 | 497-4319-6 |