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深圳市嘉伟亿科技有限公司
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产品分类
BSM50GD120DN2E3226半导体原装热卖，专销Infineon Technologies BSM50GD120DN2E3226半导体
产品详细说明
| 描述 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A |
| 制造商 | Infineon |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 配置 | Hex |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 50 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 200 nA |
| 功率耗散 | 350 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | EconoPACK 2 |
| 封装 | Reel |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 安装风格 | Screw |
