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深圳市嘉伟亿科技有限公司
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产品分类
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产品详细说明
| 描述 | MOSFET OPTIMOS-P TRNCH P-CH -30V -100A 4mOhms |
| RoHS | • 镉（Cd）/镉化合物 0.01% • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10% • 铅（Pb）/铅化合物 0.10% • 汞（Hg）/汞化合物 0.10% • 多溴联苯(PBB)0.10% • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10% 说明：MOSFET OPTIMOS-P TRNCH P-CH -30V -100A 4mOhms |
| 制造商 | Infineon |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 闸/源击穿电压 | - 16 V, + 5 V |
| 漏极连续电流 | - 100 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 4 m Ohms |
| 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB |
| 封装 | Tube |
| 下降时间 | 180 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 200 W |
| 上升时间 | 45 ns |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 典型关闭延迟时间 | 200 ns |
