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供应Infineon Technologies分离式半导体产品IPD30N06S2L-13,IPD30N06S2L-13原装正品,IPD30N06S2L-13现货热卖

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产品价格:
电话咨询/ 1pcs
厂 家:
Infineon Technologies
封 装:
TO252311
批 号:
08+
数 量:
7530
 
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产品咨询直线:0755-82711633

产品详细说明

描述MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
数据列表IPD30N06S2L-13
标准包装2,500
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 80µA
闸电荷(Qg) @ Vgs69nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 25V
功率 - 最大136W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装PG-TO252-3
包装带卷 (TR)
其它名称SP000252167