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深圳市嘉伟亿科技有限公司
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产品分类
Infineon Technologies IPDH6N03LAG分离式半导体产品，现货供应IPDH6N03LAG接受批量订货
产品详细说明
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11 |
| RoHS | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 数据列表 | IPD(F,S,U)H6N03LA G |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 30µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 19nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2390pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 71W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | IPDH6N03LAGINDTR-NDIPDH6N03LAGINTR |
