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供应 存储器 铁电系列 FM24V02-GTR 特价销售 集成电路 FM24V02-GTR 8SOIC RAMTRON
- 产品价格：
- 交易说明：
- 本公司只做进口原装 价格优势
- 配送说明：
- 进口原装环保 HK 深圳均可交货 可提供17点增值税发票
- 厂 家：
- Ramtron
- 封 装：
- 8SOIC
- 批 号：
- 12+
- 数 量：
- 20000
产品咨询直线：0755-13714359886
产品详细说明
供应 FM24V02-GTR 特价销售 集成电路
类别 集成电路 (IC)
家庭 存储器
格式 - 存储器 RAM
存储器类型 FRAM (Ferroelectric RAM)
存储容量 256K (32K x 8)
速度 3.4MHz
接口 I²C, 2 线串口
电源电压 2 V ~ 3.6 V
工作温度 -40°C ~ 85°C
封装/外壳 8-SOIC
铁电存储器是铁电技术的一种储存形势。这技术早在1921年提出，但是直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品，目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年，FRAM又有新的发展，采用了0.35 m工艺，推出了3V产品，开发出“单管单容”存储单元的FRAM，最大密度可达256K位。
铁电存储技术的原理是利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这个是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性的去刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。
