１）V DS :最大工作电压５００v
.２）V DG(20KΩ)耐压５００Ｖ。
３）Ｖ GS 栅源电压 正负２０Ｖ
４）ＩＤ ２５度时８Ａ,１ＯＯ度时５．１Ａ
５）ＩＤＭ最大工作电流３２Ａ
６）Ｐtot 温度２５度时峰值功率１２５Ｗ
７）Ｄv/Ｄt 二极管恢复电压峰值斜率3.5v/ns
８） 工作温度范围－６５－－－－１５０度
要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
