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深圳市腾桩电子有限公司
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联系方式
- 地址：深圳市福田区红荔路群星广场 A 座 3213 室
- 联系人：陈先生
- 传真：0755-82774119
- 手机：13342975316
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产品分类
供应场管：IRF9Z24NPBF TO-220封装 IRF9Z24NPBF现货库存，只做原装
- 产品价格：
- ￥1.5/ 1pcs
￥1.2/ 10pcs
￥1.1/ 100pcs
￥1.08/ 1k
￥1.07/ 10k
- 配送说明：
- 广东省内货到付款，省外款到发货
- 厂 家：
- IR
- 封 装：
- TO-220
- 批 号：
- 14+
- 数 量：
- 50000
产品详细说明
- 场效应管 MOSFET P TO-220 -55V -12A
- 晶体管极性: P沟道
- 电流, Id 连续: 12A
- 漏源电压, Vds: 55V
- 在电阻RDS（上）: 172mohm
- 电压 @ Rds测量: -10V
- 阈值电压 Vgs: -4V
- 功耗 Pd: 45W
- Transistor Case Style: TO-220AB
- 针脚数: 3
- 工作温度最高值: 175°C
- MSL: -
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (16-Dec-2013)
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
- 引脚节距: 2.54mm
- 晶体管数: 1
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id 最大值: -12A
- 热阻, 结点至外壳A: 3.3°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: -10V
- 电压, Vds: 55V
- 电压, Vds 典型值: -55V
- 电压, Vgs 最高: -4V
- 电流, Idm 脉冲: 48A
- 表面安装器件: 通孔
- 针脚格式: 1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- 针脚配置: a
场管：IRF9Z24NPBF的工作原理
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。 在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
