深圳市讯谊科技有限公司 （非本站正式会员）

•Ultra-low-voltage核心和I / O的电力供应
•频率范围
- 800 MHz(数据率:1600 Mb / s /销)
•8 n预取DDR体系结构
•8内部银行为并发操作
•多路复用、双数据速率、命令/地址
输入;在每个CK_t / CK_c输入命令
边缘
•每字节的双向/微分数据选通
数据(DQS_t / DQS_c)
•可编程读取和写入延迟(RL /王)
•破裂长度:8
•Per-bank刷新并发操作
•自动温度补偿自刷新
(ATCSR)内置温度传感器
•Partial-array自我刷新(PASR)
•深省电模式(DPD)
•选择输出驱动强度(DS)
•Clock-stop能力
•On-die终止(ODT)
•无铅(RoHS-compliant)和无卤
包装
选项
•VDD1 / VDD2 / VDDCA / VDDQ:1.8 1.2 1.2 v / v / v / 1.2 v
•阵列配置
梅格- 256 x 32(DDP)
梅格- 512 x 32(QDP)
•包装
- 12.0毫米x 11.5毫米,178 -球FBGA包
- 13.0毫米x 11.5毫米,178 -球FBGA包
•操作温度范围

——从-30°C到+ 85°C

E D F 81 32 A F
Micron Technology
(Micron Japan)
Type
D = Packaged device
Product Family
F = Mobile LPDDR3 SDRAM
Density/Chip Select
81 = 8Gb/2-CS
A2 = 16Gb/2-CS
Organization
32 = x32
Power Supply Interface
A = VDD1 = 1.8V, VDD2 = VDDCA = VDDQ = 1.2V,
S8 device, HSUL_12
1 MC- GD - D
Packing Media
D = Dry Pack (Tray)
R = Tape and Reel
Environment Code
F = Lead-free (RoHS-compliant)
and halogen-free
Speed
GD = 1600 Mbps
Package
MC = Stacked FBGA
MA = Stacked FBGA
Revision