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深圳市宝安区新安鸿仕科电子商行
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产品分类
供应直销场效应 MOS管 AO3401 SOT-23封装 丝印A19T
- 产品价格:
- ¥0.11/ 1pcs
- 交易说明:
- 原装现货库存,品质齐全,价格优势
- 厂 家:
- 中性
- 封 装:
- SOT-23
- 批 号:
- 14+
- 数 量:
- 900000
产品咨询直线:0755-83263391
产品详细说明
产品详细说明
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型号/规格
AO3401
- 品牌/商标中性
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封装形式
SOT-23
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环保类别
无铅环保型
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安装方式
贴片式
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包装方式
卷带编带包装
AO3401场效应管是电压控制器件,管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件,管子的导电情况取决于基极电流的大小。场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量,晶体管输出特性曲线以基极电流Ib为参变量。场效应管的输入阻抗很大,输入电流极小;晶体管输入阻抗很小,在导电时输入电流较大。
产品的详细信息
品牌:中性
型号:AO3401
种类:绝缘栅(MOSFET)
RoHS: 是
沟道类型:P沟道
导电方式:增强型
用途:V-FET/V型槽MOS
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
功率MOSFET的工作原理
截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。
导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子-电子吸引到栅极下面的P区表面
当UGS大于UT(开启电压或阈值电压)时,栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电。
值得一提的是采用平面式结构的功率MOSFET也并非不存在,这类元件主要用在高级的音响放大器中。平面式的功率MOSFET在饱和区的特性比垂直结构的对手更好。垂直式功率MOSFET则多半用来做开关切换之用,取其导通电阻(turn-on resistance)非常小的优点。