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深圳市宝安区新安鸿仕科电子商行
- 营业执照：已审核身份证：已认证经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东 深圳企业网站：
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联系方式
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产品分类
供应原装现货进口韩国信安TSP8N60M
- 产品价格：
- 面议/ 1pcs
- 交易说明：
- 原装现货库存，品质齐全，价格优势
- 厂 家：
- 信安
- 封 装：
- TO-220
- 批 号：
- 14+
- 数 量：
- 1000
产品咨询直线：0755-83263391
产品详细说明
TSP8N60M产品信息：
品牌：韩国信安
型号：TSP8N60M
种类：绝缘栅（MOSFET）
沟道类型：N沟道
导电方式：增强型
用途：L/功率放大
封装外形：P-DIT/塑料双列直插
材料：N-FET硅N沟道
场效应管主要参数：
直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS.
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS.
交流参数
低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
极限参数
漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS.
栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
