仙童 飞兆 FQP50N06 FQP50N06代理商 FQP50N06现货库存大量供应
场效应管 MOSFET FQP50N06
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 50A
漏源电压, Vds: 60V
在电阻RDS（上）: 22mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压 Vgs: 4V
功耗 Pd: 120W
晶体管封装类型: TO-220
针脚数: 3
工作温度最高值: 175°C
SVHC(高度关注物质): No SVHC (16-Jun-2014)
器件标记: FQP50N06
封装类型:TO-220
工作温度最小值: -55°C
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
漏极电流, Id 最大值: 50A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 60V
电压, Vgs 最高: 4V
电流, Idm 脉冲: 200A
通态电阻最大值: 22mohm
阈值电压, Vgs th 最高: 4V
