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NXP
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产品详细说明

快恢复二极管FRDFast RecoveryDiode

快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。具有开关特性好,反向恢复时间Trr短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。可广泛用于开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流电动机变频调速(VVVF)、高频加热等装置中,作高频、大电流的续流二极管或整流管。